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CGH40035F
35 W, RF Power GaN HEMT
Cree’s CGH40035F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron
mobility transistor (HEMT). The CGH40035F, operating from a 28 volt
rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and
microwave applications. GaN HEMTs offer high effciency, high gain and
wide bandwidth capabilities making the CGH40035F ideal for linear
and compressed amplifer circuits. The transistor is available in a
screw-down, fange package.
R
e
v
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.
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A
u
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s
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FEATURES
?
Up to 4 GHz Operation
?
15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
?
13 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
?
45 W typical PSAT
?
60 % Effciency at PSAT
?
28 V Operation
APPLICATIONS
?
2-Way Private Radio
?
Broadband Amplifers
?
Cellular Infrastructure
?
Test Instrumentation
?
Class A, AB, Linear amplifers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Package Type: 440193
PN: CGH40035F
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